- Complementary Metall-Oxide Semiconductor
- сущ.
авиа. дополнительный металло-оксидный полупроводник (CMOS)
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
Complementary Metal Oxide Semiconductor — (CMOS, dt. komplementärer Metall Oxid Halbleiter) ist eine Bezeichnung für Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p Kanal als auch n Kanal MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Unter CMOS Technologie versteht man sowohl den… … Deutsch Wikipedia
Complementary metal oxide semiconductor — (CMOS, dt. komplementärer Metall Oxid Halbleiter) ist ein Begriff aus der Elektronik. CMOS Bausteine sind Halbleiterbauelemente, bei denen sowohl p Kanal als auch n Kanal MOSFETs auf einem gemeinsamen Substrat verwendet werden. Die CMOS… … Deutsch Wikipedia
complementary metal-nitride-oxide-semiconductor — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
complementary metal-nitride-oxide-semiconductor structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
complementary MNOS structure — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
komplementäre Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas